OPTIMIZACIÓN DE PELÍCULAS DELGADAS SEMICONDUCTORAS TIPO-P DE SULFURO DE COBRE PARA POTENCIAL APLICACIÓN EN CELDAS SOLARES FOTOVOLTAICAS: UN ESTUDIO PIONERO EN LA REGIÓN AREQUIPA
CÓDIGO DE PROYECTO #PE501078343-2022
Información General
Numero de Subvención
PE501078343-2022
Líder de Proyecto
Descripción
Resumen
El sulfuro de cobre (Cu2S) es un material semiconductor de tipo p con una alta concentración de agujeros, tiene un gran potencial para muchas aplicaciones, como fotocatalíticas, celdas solares, baterías de iones de litio e interruptores a escala nanométrica, LED totalmente transparentes y pantallas LED, entre otras.
Por tanto, la falta de un material semiconductor tipo p constituye un obstáculo esencial para el desarrollo de muchos dispositivos semiconductores, así mismo, las técnicas utilizadas hasta ahora en la producción de películas delgadas de Cu2S requieren equipos e instalaciones de alto costo que generan residuos químicos que dañan el medio ambiente.
El método de investigación del presente proyecto es cuantitativo, con el estudio y análisis de las caracterizaciones eléctricas y morfológicas de las películas delgadas de Cu2S; la variable independiente es el tiempo de crecimiento de las películas de las películas delgadas de Cu2S, y la variable dependiente el número de portadores mayoritarios presentes para el transporte de carga.
El presente proyecto de investigacion tiene como objetivo general demostrar que con la técnica de bajo costo de pulverización catódica por magnetrón de corriente directa es posible la fabricación de películas delgadas de Cu2S; y mediante la caracterización y análisis de las propiedades estructurales, morfológicas, ópticas y eléctricas de la película delgada de Cu2S se evidenciara que es un semiconductor tipo p. Como objetivos específicos tenemos:
• Depositar y crecer películas delgadas de Cu2S por pulverización catódica magnetrón DC sobre vidrio.
• Caracterizar y analizar las propiedades estructurales, morfológicas, ópticas y eléctricas de la película delgada de Cu2S.
• Gestión de cierre del proyecto.
Con los resultados, esperamos obtener películas delgadas de Cu2S de tipo p con alta conductividad de huecos, y mediante el análisis de los resultados de sus propiedades estructurales, morfológicas, ópticas y eléctricas podremos demostrar que el Cu2S en un buen material semiconductor para aplicaciones en celdas solares.
Mediante la Fabricación y Caracterización de películas delgadas de sulfuro de cobre se logrará mejorar, fortalecer y aportar nuevos técnicas y procesos de investigación al Laboratorio de Películas Delgadas de la UNSA y la posible futura fabricación de celdas solares en la Ciudad de Arequipa.
Objetivo General
Demostrar que con la técnica de bajo costo de pulverización catódica por magnetrón de corriente directa es posible la fabricación de películas delgadas de Cu2S; y mediante la caracterización y análisis de las propiedades estructurales, morfológicas, ópticas y eléctricas de la película delgada de Cu2S se evidenciara que es un semiconductor tipo p.
Palabras Clave
thin film, p-type semiconductor, DC Magnetron sputtering, Solar Cells, PROCIENCIA, CONCYTEC
Tipo de intervención
Intervención
INVESTIGACIÓN CIENTÍFICA
Convenio
PROCIENCIA
Entidad ejecutora
Nombre de la Organización
Dependencia / Unidad
Región
AREQUIPA
Tipo de organización
UNIVERSIDAD
País
PERÚ
Entidades Asociadas
DEPENDENCIA:
PAÍS:
MÉXICO
Datos actualizados al 31/12/2024
Equipo Técnico
ROL:
Co-Investigador
ENTIDAD:
UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTIN
ROL:
GESTOR(A) DE PROYECTO
ENTIDAD:
UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTIN
ROL:
RESPONSABLE TÉCNICO
ENTIDAD:
UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTIN
ROL:
TESISTA MAESTRÍA
ENTIDAD:
UNIVERSIDAD NACIONAL DE SAN AGUSTIN
ROL:
Co-Investigador
ENTIDAD:
CENTRO DE INVESTIGACIONES EN ÓPTICA
Datos actualizados al 21/07/2026
Información Adicional
Área / Subárea OCDE
CIENCIAS NATURALES / CIENCIAS FÍSICAS
País ejecución
PERÚ
Región ejecución
AREQUIPA
Periodo de Ejecución
02/09/2022
al 01/08/2024
Disciplina OCDE
FÍSICA DE LA MATERIA
Monto total
Monto total
S/ 100,000.00
Publicaciones
DOI:
10.1063/5.0191049
AUTORES:
Velasquez-Ordoñez J.R. | GUERRA TORRES ,JORGE ANDRES | PACHECO SALAZAR ,DAVID GREGORIO | LLONTOP LOPEZ-DAVALOS ,PAUL DAVID | HERRERA ARAGON ,FERMIN FIDEL | HUAMANI COAQUIRA ,JOSE ANTONIO
REVISTA:
Journal of Applied Physics
AÑO:
2024
TIPO PUBLICACION:
Artículo
QUARTIL:
Q2
INDEXACIÓN:
Scopus
ScopusPUBLISHER:
American Institute of Physics
Datos actualizados al 21/07/2026
Propiedad Intelectual
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Tesis
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Presentaciones Orales
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Pasantías
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