Compact MOSFET model for instruction and design of wireless autonomous chips in advanced processes

En este proyecto, utilizaremos nuestra experiencia docente en física de transistores, diseño de chips e ingeniería para desarrollar herramientas y métodos para la instrucción rápida de ingenieros en el diseño de chips. Dado que el transistor MOS es el componente básico de los circuitos integrados, nos centraremos en los modelos de transistores y en la mejora de modelos verdaderamente compactos para transistores. Actualmente se estudia un modelo de siete parámetros en colaboración entre UFSC, la Universidad de Grenoble Alpes y STMicroelectronics para complementar un modelo de transistor de cuatro parámetros disponible, personalizado para simulaciones de muy bajo voltaje. Se explorará un modelo de cinco parámetros como candidato para circuitos de voltaje estándar. Usaremos procedimientos de extracción de parámetros que se mejoraron recientemente para optimizar la coincidencia entre los modelos simplificado y el kit de diseño. Para algunos circuitos clave digitales, analógicos y de RF, una comparación entre los resultados obtenidos para el modelo de kit de diseño completo con aquellos que emplean el modelo de transistor simplificado, brindará un medio para validar el procedimiento de diseño.

SILVA CARDENAS ,CARLOS BERNARDINO